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IRFI530N
1200
1000
V GS
C iss
C rss
C oss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C gs + C gd , C ds S H O R TE D
C gd
C ds +C gd
20
16
I D = 9.0A
V D S = 80V
V D S = 50V
V D S = 20V
C iss
800
12
600
400
200
C os s
C rss
8
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
5
10
15
20
25
S E E FIG U R E 13
30 35 40
45
A
100
V D S , D rain-to-Sourc e Voltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE D
B Y R D S (on)
100
T J = 175°C
10
T J = 25°C
10μ s
10
100μ s
T J
1
V G S = 0V
A
1
T C = 25°C
= 175°C
S ingle P ulse
1m s
10m s
A
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
100
1000
V S D , S ource-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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